[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811599418.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109616512A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄玉恩;尹江龙;章剑锋;颜发明 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其特征在于，包括：电极层；半导体层，与电极层层叠设置，半导体层包括相接触设置的N型区和P型区，N型区和P型区的接触面形成PN结；其中，P型区包括含有氟化铝分解的受主杂质。本发明提供的半导体器件及其制造方法能够缩短制造工序的时间和减少工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体层 工艺成本 接触设置 受主杂质 制造工序 电极 电极层 氟化铝 制造 分解 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：电极层(100)；半导体层(200)，与所述电极层(100)层叠设置，所述半导体层(200)包括相接触设置的N型区(210)和P型区(220)，所述N型区(210)和P型区(220)的接触面形成PN结；其中，所述P型区包括含有氟化铝分解的受主杂质。
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