[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

电极层(100)；

半导体层(200)，与所述电极层(100)层叠设置，所述半导体层(200)包括相接触设置的N型区(210)和P型区(220)，所述N型区(210)和P型区(220)的接触面形成PN结；

其中，所述P型区包括含有氟化铝分解的受主杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氟化铝呈粉末状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氟化铝在所述P型区(220)分解所述受主杂质铝离子，所述铝离子在所述半导体层中的浓度范围是1×e¹³cm^-3～1×e²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层在第一方向上具有相对的第一表面(230)和第二表面(240)，所述P型区由所述第一表面(230)向所述第二表面(240)方向延伸预定距离形成，所述预定距离为0μm～500μm且不包含0的端点。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述预定距离为100μm～200μm。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述预定距离大于200μm，在所述P型区(220)内距离所述第一表面(230)相距100μm～200μm的厚度范围内所述铝离子的浓度范围是1×e¹³cm^-3～1×e¹⁶cm^-3。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述受主杂质在所述P型区(220)内的掺杂浓度随掺杂深度平滑递减。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为二极管(10)或三极管(20)或MOS管(30)或晶闸管(40)。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

将受主杂质源与N型硅片共同放入石英管中；

将容纳有所述受主杂质源和所述N型硅片的所述石英管密闭并真空处理；

将真空和密闭状态下的所述石英管放入高温扩散炉中；

所述受主杂质在所述高温扩散炉中气化向所述N型硅片进行扩散，形成包含所述受主杂质的P型区。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述受主杂质在所述高温扩散炉中气化向所述N型硅片进行扩散，形成包含所述受主杂质的P型区，包括：

以氟化铝作为受主杂质源，形成包含所述受主杂质浓度为1×e¹³cm-³～1×e²⁰cm^-3的P型区的工序。