[发明专利]热处理方法在审
| 申请号： | 201811598895.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110120336A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 布施和彦;河原崎光;谷村英昭;加藤慎一 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使是形成着自然氧化膜的半导体衬底也能够将掺杂剂较浅地导入的热处理方法。进行将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体晶圆在包含氢气的气氛中加热至退火温度(T1)的氢气退火。在包含掺杂剂的薄膜与半导体晶圆之间不可避免地形成着自然氧化膜，但通过进行氢气退火，而掺杂剂原子相对容易地在自然氧化膜中扩散并集聚在半导体晶圆的表面与自然氧化膜的界面处。接着，在氮气气氛中将半导体晶圆预加热至预加热温度(T2)之后，进行将半导体晶圆的表面小于1秒地加热至峰值温度(T3)的闪光加热处理。掺杂剂原子从半导体晶圆的表面较浅地扩散并活化，能够获得低电阻且极浅的结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 自然氧化膜 退火 氢气 掺杂剂 掺杂剂原子 热处理 预加热 加热 薄膜 扩散 加热处理 低电阻 界面处 衬底 成膜 活化 半导体 集聚 闪光 | ||
【主权项】：
1.一种热处理方法，其特征在于对半导体衬底导入掺杂剂，且具备：氢气退火工序，将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体衬底在包含氢气的气氛中加热至第1温度；以及毫秒退火工序，在与氢气不同的气体的气氛中将所述半导体衬底小于1秒地加热至温度比所述第1温度高的第2温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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