[发明专利]热处理方法在审
| 申请号： | 201811598895.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110120336A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 布施和彦;河原崎光;谷村英昭;加藤慎一 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 自然氧化膜 退火 氢气 掺杂剂 掺杂剂原子 热处理 预加热 加热 薄膜 扩散 加热处理 低电阻 界面处 衬底 成膜 活化 半导体 集聚 闪光 | ||
【权利要求书】：
1.一种热处理方法，其特征在于对半导体衬底导入掺杂剂，且具备：
氢气退火工序，将成膜着包含掺杂剂的薄膜的半导体衬底在包含氢气的气氛中加热至第1温度；以及
毫秒退火工序，在与氢气不同的气体的气氛中将所述半导体衬底小于1秒地加热至温度比所述第1温度高的第2温度。
2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述氢气退火工序与所述毫秒退火工序之间还具备预加热工序，该预加热工序将所述半导体衬底加热至比所述第1温度高且比所述第2温度低的温度。
3.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述第1温度为300℃以上且600℃以下。
4.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述毫秒退火工序中在氮气气氛中加热所述半导体衬底。
5.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述毫秒退火工序中，从闪光灯对所述半导体衬底照射闪光而将所述半导体衬底加热。
6.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在所述半导体衬底成膜包含掺杂剂的二氧化硅的膜。
7.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
在包含所述掺杂剂的薄膜与所述半导体衬底的表面之间形成着自然氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
