[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于发光二极管制造领域。多量子阱层中第一超晶格结构中AlxGa1‑xN垒层较高的势垒可起到阻挡电子的作用，提高多量子阱层中空穴的浓度，有利于提高发光二极管的发光效率。而第二超晶格结构中的AlyGa1‑yN垒层的势垒低于AlxGa1‑xN垒层的势垒则使得部分空穴还可移动至第二超晶格结构中，空穴分布较为均匀。同时AlxGa1‑xN垒层的厚度大于AlyGa1‑yN垒层的厚度、AlyGa1‑yN垒层的厚度大于第三超晶格结构中的GaN垒层的厚度，也可使电子受到较厚的AlxGa1‑xN垒层的阻挡，GaN垒层对空穴的阻挡作用则较小，同样可起到延长电子深入多量子阱层的时间、并提供给空穴更多时间深入多量子阱层的作用，有利于提高发光二极管的发光效率与均匀度。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，所述多量子阱层包括依次层叠的第一超晶格结构、第二超晶格结构与第三超晶格结构，所述第一超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与Al_xGa_1‑xN垒层，所述第二超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与Al_yGa_1‑yN垒层，其中y<x，所述第三超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层，所述Al_xGa_1‑xN垒层的厚度大于所述Al_yGa_1‑yN垒层的厚度，所述Al_yGa_1‑yN垒层的厚度大于所述GaN垒层的厚度。