[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法有效
| 申请号： | 201811597479.6 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109786521B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，所述多量子阱层包括依次层叠的第一超晶格结构、第二超晶格结构与第三超晶格结构，所述第一超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与AlxGa1-xN垒层，所述第二超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与AlyGa1-yN垒层，其中yx，所述第三超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层，
所述AlxGa1-xN垒层的厚度大于所述AlyGa1-yN垒层的厚度，所述AlyGa1-yN垒层的厚度大于所述GaN垒层的厚度。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN垒层的厚度为10～18nm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN垒层的厚度与所述AlyGa1-yN垒层的厚度的比值为1.1～1.3。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlyGa1-yN垒层的厚度与所述GaN垒层的厚度的比值为1.1～1.3。
5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，0.2≤x≤0.4。
6.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，0.15≤y≤0.35。
7.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，x:y＝1.1～1.3。
8.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN垒层的层数、所述AlyGa1-yN垒层的层数均与所述GaN垒层的层数相同。
9.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱层，
其中，所述多量子阱层包括依次层叠的第一超晶格结构、第二超晶格结构与第三超晶格结构，所述第一超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与AlxGa1-xN垒层，所述第二超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与AlyGa1-yN垒层，其中yx，所述第三超晶格结构包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层，
所述AlxGa1-xN垒层的厚度大于所述AlyGa1-yN垒层的厚度，所述AlyGa1-yN垒层的厚度大于所述GaN垒层的厚度；
在所述多量子阱层上生长P型GaN层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述N型GaN层上生长多量子阱层包括：在N型GaN层上依次生长第一超晶格结构、第二超晶格结构、第三超晶格结构，
在生长所述第一超晶格结构时，向反应腔内通入15～30sccm的Al源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811597479.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
