[发明专利]一种N型双面太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811591727.6 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109671790A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 於玲琳;杨洁;郑霈霆 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制备方法,包括:提供一N型硅片;在N型硅片的正面进行扩散形成一P型掺杂层;在N型硅片的背面形成氧化硅层和非晶硅层,并进行离子注入形成一N型掺杂层;在N型硅片的正面形成正面钝化减反射层,在N型硅片的背面形成背面钝化减反射层;在正面钝化减反射层背离N型硅片一侧形成正面电极,在背面钝化减反射层背离N型硅片一侧形成背面电极。采用离子注入形成N型掺杂层后,由于离子注入的电池正面刻蚀速度是背面的10~20倍,因此,无需采用掩膜,直接刻蚀即可去除正面绕镀,从而减少了掩膜的制备和清洗工序,简化了N型双面太阳能电池的制备流程,降低了制备成本,实现了N型双面太阳能电池的产业化。
搜索关键词: 双面太阳能电池 制备 减反射层 离子 背面钝化 钝化 刻蚀 掩膜 背面 背离 背面电极 电池正面 非晶硅层 清洗工序 氧化硅层 正面电极 产业化 去除 扩散
【主权项】:
1.一种N型双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:提供一N型硅片;在所述N型硅片的正面进行扩散形成一P型掺杂层;在所述N型硅片的背面形成氧化硅层和非晶硅层,并进行离子注入形成一N型掺杂层;在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层,在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层;在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成正面电极,在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成背面电极。
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