[发明专利]一种N型双面太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制备方法，包括：提供一N型硅片；在N型硅片的正面进行扩散形成一P型掺杂层；在N型硅片的背面形成氧化硅层和非晶硅层，并进行离子注入形成一N型掺杂层；在N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，在N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；在正面钝化减反射层背离N型硅片一侧形成正面电极，在背面钝化减反射层背离N型硅片一侧形成背面电极。采用离子注入形成N型掺杂层后，由于离子注入的电池正面刻蚀速度是背面的10～20倍，因此，无需采用掩膜，直接刻蚀即可去除正面绕镀，从而减少了掩膜的制备和清洗工序，简化了N型双面太阳能电池的制备流程，降低了制备成本，实现了N型双面太阳能电池的产业化。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种N型双面太阳能电池及其制备方法。

背景技术

太阳能电池作为清节能源之一，现阶段正在飞速的发展。其中，N型双面太阳能电池由于具有双面发电、弱光响应好、少子寿命高、温度系数低以及无光致衰减等优点，因此，受到了人们的广泛关注。

虽然N型双面太阳能电池的正面效率已高达22％以上，但是，N型双面太阳能电池仍然没有大规模地扩大生产，最主要的原因是N型双面太阳能电池的制备流程复杂，制备成本高。因此，如何简化N型双面太阳能电池的制备流程、降低制备成本，是促进N型双面太阳能电池产业化的关键。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制备方法，以简化N型双面太阳能电池的制备流程、降低制备成本。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种N型双面太阳能电池的制备方法，包括：

提供一N型硅片；

在所述N型硅片的正面进行扩散形成一P型掺杂层；

在所述N型硅片的背面形成氧化硅层和非晶硅层，并进行离子注入形成一N型掺杂层；

在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；

在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成正面电极，在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成背面电极。

可选地，进行离子注入的离子浓度为1E10¹⁵～10¹⁶。

可选地，在所述N型硅片的背面形成氧化硅层和非晶硅层之前，还包括：

对所述N型硅片的背面进行刻蚀。

可选地，在所述N型硅片的背面进行离子注入形成一N型掺杂层之后，还包括：

进行退火处理；

进行碱刻蚀和清洗。

可选地，在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层包括：

在所述N型硅片的正面依次形成氧化铝层和第一氮化硅层。

可选地，在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层包括：

在所述N型硅片的背面形成第二氮化硅层。

可选地，在所述N型硅片的正面进行扩散形成一P型掺杂层之前，还包括：

对所述N硅片的正面进行制绒处理。

一种N型双面太阳能电池，包括N型硅片，依次位于所述N型硅片正面的P型掺杂层、正面钝化减反射层和正面电极，依次位于所述N型硅片背面的N型掺杂层、背面钝化减反射层和背面电极，其中，所述N型掺杂层是采用离子注入的方法形成的。

可选地，所述P型掺杂层的方阻为90～100Ω/Squar。