[发明专利]沟槽栅IGBT及装置在审
| 申请号： | 201811589486.1 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370475A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 兰昊;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供沟槽栅IGBT及装置，对现有技术中沟槽栅IGBT进行改进，所述改进后的沟槽栅IGBT包括发射极、p阱区、栅极、栅极氧化层、漂移区和背部集电极，所述栅极位于沟槽内，栅极与发射极、p阱区和漂移区之间由栅极氧化层隔离，所述沟槽设置在衬底内部，所述沟槽与漂移区的边界具有多个凹陷。在沟槽栅IGBT开关过程中，所述沟槽的侧面与漂移区的界面上具有多个凹陷栅极氧化层，可以束缚和积累电子电荷，从而提高导通能力，解决现有技术中沟槽栅IGBT的开关功耗过高的技术问题，以起到减小沟槽栅IGBT的开关功耗的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 装置 | ||
【主权项】：
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