[发明专利]沟槽栅IGBT及装置在审
| 申请号： | 201811589486.1 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370475A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 兰昊;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 装置 | ||
1.一种沟槽栅IGBT，包括栅极和漂移区，所述栅极和对应的沟槽表面设置有栅极氧化层，所述沟槽设置在衬底内部，其特征在于：
所述沟槽的侧面与漂移区所共同形成的界面上具有多个凹陷。
2.根据权利要求1所述沟槽栅IGBT，其特征在于，所述多个凹陷在沟槽内均匀排布。
3.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述沟槽与漂移区的界面部分所对应栅极氧化层，相比所述沟槽其他部分所对应栅极氧化层的厚度厚。
4.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述多个凹陷所组成的界面在沟槽栅IGBT的侧剖面图上构成以下一种形状或多种形状的组合：正弦波、矩形波、三角波和阶梯波。
5.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，还包括填充在所述沟槽内的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和沟槽通过栅极氧化层隔离。
6.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，还包括P阱区：
所述P阱区置于所述半导体衬底的顶部，位于漂移区上方；
所述P阱区与所述漂移区和所述沟槽连接。
7.根据权利要求6所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，还包括发射极和集电极：
所述集电极置于半导体衬底的背部；所述集电极位于漂移区下方；
所述发射极分别和所述P阱区及所述沟槽相连。
8.根据权利要求7任一所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，还包括位于所述漂移区底部与所述集电极之间的缓冲层。
9.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，所述半导体衬底为单晶结构硅衬底。
10.一种装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的沟槽栅IGBT。
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