[发明专利]用于制造半导体的加热装置及其驱动方法在审
| 申请号： | 201811588105.8 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634764A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 黄泳豪;李忠勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G05D23/20 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体的加热装置，该加热装置包括：设置在板上的多个加热器；多个温度传感器，被配置为感测板的温度并输出温度值；电源，被配置为向多个加热器供应功率；多个开关，被设置在电源和多个加热器之间；以及控制单元，被配置为接通多个开关中的所有开关以将板加热到参考温度，并且被配置为断开多个开关中的至少一个开关以保持参考温度。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 加热装置 配置 电源 温度传感器 供应功率 参考 感测板 断开 加热 半导体 接通 输出 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体的加热装置，所述加热装置包括：/n多个加热器，被设置在板上；/n多个温度传感器，被配置为感测所述板的温度并输出温度值；/n电源，被配置为向所述多个加热器供应功率；/n多个开关，被设置在所述电源和多个加热器之间；和/n控制单元，被配置为接通所述多个开关中的所有开关以将所述板加热到参考温度，并且被配置为断开所述多个开关中的至少一个开关以保持所述参考温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
