[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811588012.5 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109671776A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 任远;陈志涛;李祁昕;刘晓燕 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 毕翔宇 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底以及在衬底上依次形成的氮化物沟道层、氮化物势垒层和用于形成电极的导电层；氮化物沟道层与氮化物势垒层之间形成有二维电子气沟道，电极包括彼此连接的第一电极和第二电极，第一电极延伸至氮化物势垒层，第二电极穿过二维电子气沟道。在该半导体器件中，由彼此连接的第一电极和第二电极形成欧姆接触电极，其中第一电极与氮化物势垒层之间形成欧姆接触，并通过载流子隧穿机制与二维电子气沟道导通，而第二电极与二维电子气沟道直接接触，在第一电极和第二电极的两种接触机制共同作用下，进一步减小了欧姆接触电极的接触电阻，从而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 第二电极 第一电极 二维电子气沟道 势垒层 欧姆接触电极 彼此连接 沟道层 电极 衬底 半导体技术领域 载流子隧穿 接触电阻 欧姆接触 导电层 导通 减小 制造 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底以及在所述衬底上依次形成的氮化物沟道层、氮化物势垒层和用于形成电极的导电层；所述氮化物沟道层与所述氮化物势垒层之间形成有二维电子气沟道，所述电极包括彼此连接的第一电极和第二电极，所述第一电极延伸至所述氮化物势垒层，所述第二电极穿过所述二维电子气沟道。
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