[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底以及在所述衬底上依次形成的氮化物沟道层、氮化物势垒层和用于形成电极的导电层；

所述氮化物沟道层与所述氮化物势垒层之间形成有二维电子气沟道，所述电极包括彼此连接的第一电极和第二电极，所述第一电极延伸至所述氮化物势垒层，所述第二电极穿过所述二维电子气沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极还包括彼此连接的第三电极和第四电极，所述第三电极延伸至所述氮化物势垒层，所述第四电极穿过所述二维电子气沟道。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极和所述第四电极分别延伸至所述氮化物沟道层内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物沟道层为包含氮化镓的单层或多层的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物势垒层为包含氮化铝镓、氮化铟铝、氮化铟铝镓、氮化铝中的至少一种材料的单层或多层的组合。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述彼此连接的第一电极和第二电极与所述彼此连接的第三电极和第四电极形成叉指型结构，所述第一电极位于所述第二电极的周边，所述第三电极位于所述第四电极的周边。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极和所述第四电极在所述氮化物势垒层所在平面上的投影的形状为一个或多个均匀分布的矩形或者圆形。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电极包括依次设置的钛层和铝层，并且所述电极还包括在所述铝层上设置的附加电极层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述电极的退火温度范围为大于400℃并且小于660℃。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

设置衬底；

在所述衬底上依次形成氮化物沟道层和氮化物势垒层，所述氮化物沟道层与所述氮化物势垒层之间形成有二维电子气沟道；

在所述氮化物沟道层和所述氮化物势垒层上形成开口；

在所述氮化物势垒层上设置用于形成电极的导电层，其中，所述电极包括彼此连接的第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述开口延伸至所述氮化物势垒层，所述第二电极通过所述开口穿过所述二维电子气沟道。