[发明专利]一种用于氮化镓生长的工艺方法

摘要

本发明公开了一种用于氮化镓生长的工艺方法，涉及氮化镓生长技术领域，包括以下步骤；步骤1)、预处理；步骤2)、生长。本发明工艺简单，将衬底通过有机溶液擦拭干净后，经酸碱浸泡后利用去离子水冲淋干净再由氮气吹干，有效的优化了衬底表面颗粒及洁净度，退火后的衬底片表面洁净度达到无黑白点，无色差，无手印，无沾污，增加了产品质量，改善了背面不良且容易出现形变的问题，提高了合格率，降低了成本浪费，采用两次缓冲层，同时将第一缓冲层中的氮极性氮化镓完全升华，留下晶体质量良好的镓极性氮化镓，从而实现高质量氮化镓的生长，增加了产品整体性能，解决了传统缓冲层的晶体质量较差从而导致许多缺陷会穿透缓冲层时问题。

主权项

1.一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于包括以下步骤；步骤1)、预处理：S1、采用有机试剂对衬底表面进行擦拭清理；S2、将清理干净的衬底放入加热后的腐蚀液中浸泡，10分钟后经去离子水冲洗并采用氮气吹干处理；S3、将吹干的衬底放入温度在1000℃的真空室中，在氢气气氛下进行退火处理。步骤2)、生长：A1、衬底在高温下生长成核层；A2、在成核层的表面上高温生长第一层氮化镓缓冲层，温度控制在1050±20度；A3、在氢气的气氛中烘烤2‑8分钟将第一层氮化镓缓冲层中的氮极性氮化镓完全升华，留下镓性氮化镓；A4、降低温度，在衬底上继续生产第二层氮化镓缓冲层，温度控制在500‑600度；A5、进行三维生长，生长温度控制在1000±20度，时间控制在25分钟以内；A6、对三维生长后的氮化镓进行二维生长，温度控制在1100±20度，同时时间控制在20分钟以内；A7、在氢气气氛中退火，冷却后取出后得到成品。