[发明专利]一种用于氮化镓生长的工艺方法

权利要求书

1.一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于包括以下步骤；

步骤1)、预处理：

S1、采用有机试剂对衬底表面进行擦拭清理；

S2、将清理干净的衬底放入加热后的腐蚀液中浸泡，10分钟后经去离子水冲洗并采用氮气吹干处理；

S3、将吹干的衬底放入温度在1000℃的真空室中，在氢气气氛下进行退火处理。

步骤2)、生长：

A1、衬底在高温下生长成核层；

A2、在成核层的表面上高温生长第一层氮化镓缓冲层，温度控制在1050±20度；

A3、在氢气的气氛中烘烤2-8分钟将第一层氮化镓缓冲层中的氮极性氮化镓完全升华，留下镓性氮化镓；

A4、降低温度，在衬底上继续生产第二层氮化镓缓冲层，温度控制在500-600度；

A5、进行三维生长，生长温度控制在1000±20度，时间控制在25分钟以内；

A6、对三维生长后的氮化镓进行二维生长，温度控制在1100±20度，同时时间控制在20分钟以内；

A7、在氢气气氛中退火，冷却后取出后得到成品。

2.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中的衬底采用氧化铝材质的构件，其厚度为600μm。

3.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中腐蚀液采用氢气SO4和H3PO4混合而成，两者之间的比例为3：1。

4.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于，所述步骤1)中真空室的真空度为10-2Pa，预处理时间控制在30分钟。

5.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于，所述步骤2)中的成核层的生长温度控制在650度，并且成核层的厚度为50nm。

6.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于，所述步骤2)中第一层氮化镓缓冲层的厚度为20-40nm，第二层氮化镓缓冲层的厚度为15-25nm。

7.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓生长的工艺方法，其特征在于，所述步骤2)中的退火温度控制在1040±20度，时间持续8分钟。