[发明专利]一种用于NAND闪存的似然比软值的生成方法和装置

摘要

本发明提供了一种用于NAND闪存的似然比软值的生成方法和装置。其中的用于NAND闪存的似然比软值的生成装置包括：读写控制器和纠错编码迭代译码器。通过使用上述的用于NAND闪存的似然比软值的生成方法和装置，可以得到比较准确的译码似然比软值。

主权项

1.一种用于NAND闪存的似然比软值的生成方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤A，读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；步骤B，读写控制器根据所读取的电压值进行硬判决译码；步骤C，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤D；步骤D，读写控制器根据所读取的电压值，使用广义似然比的方法计算得到似然比软值；步骤E，将似然比软值输入纠错编码迭代译码器进行纠错编码，并进行软判决译码；步骤F，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤G；步骤G，判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤H；步骤H，将当前的参考电压的级数增加一级，再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；返回执行步骤D；步骤I，输出译码结果作为读出数据。