[发明专利]一种用于NAND闪存的似然比软值的生成方法和装置

权利要求书

1.一种用于NAND闪存的似然比软值的生成方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤A，读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；

步骤B，读写控制器根据所读取的电压值进行硬判决译码；

步骤C，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤D；

步骤D，读写控制器根据所读取的电压值，使用广义似然比的方法计算得到似然比软值；

步骤E，将似然比软值输入纠错编码迭代译码器进行纠错编码，并进行软判决译码；

步骤F，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤G；

步骤G，判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤H；

步骤H，将当前的参考电压的级数增加一级，再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；返回执行步骤D；

步骤I，输出译码结果作为读出数据；

其中，使用如下的公式计算得到似然比软值：

其中，L(y)为似然比软值，p(θ|y)为在读取电压值为y的条件下取参量为θ的条件概率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当针对参量集中的全部参量取极大值时，使用如下的公式计算得到似然比软值：

其中，μ为存储单元中的一个状态的门限电压的期望值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当针对参量集中的一个或多个参量取极大值时，使用如下的公式计算得到似然比软值：

其中，κ为修正因子。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用如下的公式计算得到似然比软值：

其中，F为采用了广义似然比原理而构造的任意函数。

5.一种用于NAND闪存的似然比软值的生成装置，其特征在于，该装置包括：读写控制器和纠错编码迭代译码器；

所述读写控制器，用于通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取，根据所读取的电压值进行硬判决译码；当正确译码时，输出译码结果作为读出数据；当译码不正确时，根据所读取的电压值，使用广义似然比的方法计算得到似然比软值，将当前的似然比软值输入纠错编码迭代译码器；

所述纠错编码迭代译码器，用于对似然比软值进行纠错编码，并进行软判决译码；当正确译码时，输出译码结果作为读出数据；当译码不正确时，判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数；如果当前的参考电压级数为预设的最大参考电压级数，则输出译码结果作为读出数据；如果当前的参考电压级数不是预设的最大参考电压级数，则将当前的参考电压的级数增加一级，再将增加后的参考电压输出至所述读写控制器，使得所述读写控制器使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取，并根据所读取的电压值使用广义似然比的方法计算得到似然比软值，再将当前的似然比软值输入纠错编码迭代译码器；

其中，使用如下的公式计算得到似然比软值：

其中，L(y)为似然比软值，p(θ|y)为在读取电压值为y的条件下取参量为θ的条件概率。