[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811582285.9 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111354849B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一虚置栅极设于一基底上；一第一控制栅极设于该虚置栅极一侧以及一第二控制栅极设于该虚置栅极另一侧；一阱区设于该基底内，其中该阱区包含一第一导电型式；一第一源极/漏极区域设于该虚置栅极及该第一控制栅极之间，其中该第一源极/漏极区域包含一第二导电型式；一第二源极/漏极区域设于该虚置栅极及该第二控制栅极之间，其中该第一源极/漏极区域包含该第二导电型式；以及一掺杂区设于该虚置栅极正下方，其中该掺杂区包含该第一导电型式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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