[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成虚置栅极于基底上；

形成第一控制栅极于该虚置栅极一侧以及第二控制栅极于该虚置栅极另一侧；

形成第一源极/漏极区域于该虚置栅极及该第一控制栅极之间；以及

进行处理制作工艺，使该虚置栅极的临界电压大于该第一控制栅极的临界电压，其中该处理制作工艺包括：形成掺杂区设于该虚置栅极及第三间隙壁正下方，该掺杂区上表面低于该第一源极/漏极区域下表面。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成阱区于该基底内，该阱区包含第一导电型式；形成环绕该第一控制栅极的第一间隙壁以及环绕该第二控制栅极的第二间隙壁以及环绕该虚置栅极的第三间隙壁；形成第二源极/漏极区域于该虚置栅极及该第二控制栅极之间，其中该第一源极/漏极区域包含第二导电型式，该第二源极/漏极区域包含该第二导电型式。

3.如权利要求2所述的方法，另包含：

形成第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)电连接该第一源极/漏极区域；以及

形成第二磁性隧穿结电连接该第二源极/漏极区域。

4.如权利要求2所述的方法，另包含：

形成第一轻掺杂漏极于该第一控制栅极两侧；以及

形成第二轻掺杂漏极于该第二控制栅极两侧。

5.如权利要求4所述的方法，其中该掺杂区包含该第一导电型式。

6.如权利要求1所述的方法，其中各该虚置栅极、该第一控制栅极以及该第二控制栅极包含金属栅极。

7.如权利要求6所述的方法，其中各该第一控制栅极以及该第二控制栅极包含N型功函数金属层且该虚置栅极包含P型功函数金属层。

8.如权利要求6所述的方法，其中各该虚置栅极、该第一控制栅极以及该第二控制栅极包含P型功函数金属层且该虚置栅极的该P型功函数金属层厚度大于该第一控制栅极或该第二控制栅极的该P型功函数金属层厚度。

9.一种半导体元件，其特征在于，包含：

虚置栅极，设于基底上；

第一控制栅极，设于该虚置栅极一侧；

第二控制栅极，设于该虚置栅极另一侧；

阱区，设于该基底内，其中该阱区包含第一导电型式；

第一源极/漏极区域，设于该虚置栅极及该第一控制栅极之间，其中该第一源极/漏极区域包含第二导电型式；

第二源极/漏极区域，设于该虚置栅极及该第二控制栅极之间，其中该第二源极/漏极区域包含该第二导电型式；

掺杂区，设于该虚置栅极正下方，其中该掺杂区包含该第一导电型式，其中该掺杂区上表面低于该第一源极/漏极区域下表面。

10.如权利要求9所述的半导体元件，另包含：

第一间隙壁，环绕该第一控制栅极；

第二间隙壁，环绕该第二控制栅极；以及

第三间隙壁，环绕该虚置栅极，其中该掺杂区设于该虚置栅极及该第三间隙壁正下方。

11.如权利要求10所述的半导体元件，另包含：

第一轻掺杂漏极，设于该第一控制栅极两侧；以及

第二轻掺杂漏极，设于该第二控制栅极两侧。

12.如权利要求9所述的半导体元件，其中各该虚置栅极、该第一控制栅极以及该第二控制栅极包含金属栅极。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中各该第一控制栅极以及该第二控制栅极包含N型功函数金属层且该虚置栅极包含P型功函数金属层。