[发明专利]薄硅太阳能电池的金属箔辅助制造有效
| 申请号： | 201811582191.1 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110047946B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林承笵;加布里埃尔·哈利 | 申请（专利权）人： | 迈可晟太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板(704)。所述硅板的背面包括所述P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔附接(706)到所述硅板的背面。所述金属箔可有利地用作内置载体，用于在处理所述硅板的正面期间抓握所述硅板。另一个实施例涉及包括硅板(302)的太阳能电池，所述硅板在背面上具有P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔(306)粘合到所述硅板的背面，并且在所述金属箔与所述掺杂区域之间形成触点((604)和(606))。本发明还公开了其他实施例、方面和特征。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 金属 辅助 制造 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，包括：基板，其具有在正常工作期间面向太阳的正面以及与所述正面相对的背面；位于所述基板的正面上的封装材料层；位于所述封装材料层上的透明层；位于所述基板的背面上的P型发射极和N型发射极；位于所述P型发射极和所述N型发射极上的第一电介质层；金属箔，其具有穿过所述第一电介质层电连接至所述P型发射极的第一接触点和穿过所述第一电介质层电连接至所述N型发射极的第二接触点；以及粘合剂层，其将所述金属箔粘合到所述第一电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
