[发明专利]薄硅太阳能电池的金属箔辅助制造有效
| 申请号: | 201811582191.1 | 申请日: | 2013-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN110047946B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 林承笵;加布里埃尔·哈利 | 申请(专利权)人: | 迈可晟太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 金属 辅助 制造 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
基板,其具有在正常工作期间面向太阳的正面以及与所述正面相对的背面;
位于所述基板的正面上的封装材料层;
位于所述封装材料层上的透明层;
位于所述基板的背面上的P型发射极和N型发射极;
位于所述P型发射极和所述N型发射极上的第一电介质层;
金属箔,其具有穿过所述第一电介质层电连接至所述P型发射极的第一接触点和穿过所述第一电介质层电连接至所述N型发射极的第二接触点;以及
粘合剂层,其将所述金属箔粘合到所述第一电介质层,
其中,所述金属箔延伸超过所述基板的周边,用于在所述基板的正面的处理期间抓握所述基板,并且所述金属箔的延伸超过所述基板的周边的部分在所述基板的正面的处理之后被修整,并且
其中,在所述第一电介质层和所述粘合剂层中使用脉冲激光产生接触开口,并且所述接触开口由来自所述金属箔的熔融金属填充以形成所述第一接触点和所述第二接触点。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述粘合剂层包括环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述透明层包括玻璃。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述基板的正面被纹理化。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述基板包括硅。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述金属箔包括铝。
7.一种太阳能电池,包括:
第一基板,其具有在正常工作期间面向太阳的正面以及与所述正面相对的背面;
位于所述第一基板的背面上的P型发射极和N型发射极;
位于所述P型发射极和所述N型发射极上的第一电介质层;
位于所述第一电介质层上的金属箔,所述金属箔具有穿过所述第一电介质层电连接至所述P型发射极的第一接触指和穿过所述第一电介质层电连接至所述N型发射极的第二接触指;以及
位于所述金属箔上的第二基板,
其中,所述金属箔包括位于所述第一电介质层与所述第二基板之间的指间隔区域,并且
其中,所述金属箔包括延伸超过所述第一基板的周边的延伸区域,用于在所述第一基板的正面的处理期间抓握所述第一基板,并且所述延伸区域在所述第一基板的正面的处理之后被修整,并且
其中,在所述第一电介质层中使用透射穿过所述第二基板的脉冲激光产生接触开口,并且所述接触开口由来自所述金属箔的熔融金属填充,以在所述金属箔与所述P型发射极和所述N型发射极之间形成触点。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中所述第一基板是硅板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





