[发明专利]一种选择性吸收发射体

摘要

本发明公开的一种选择性吸收发射体包括衬底、覆设于衬底上的金属薄膜和设置于金属薄膜上的单元阵列，单元阵列由多个间隔排布的外形尺寸相同的基本单元组成，每个基本单元由若干个自上而下依次叠加的叠堆组成，每个叠堆包括金属层和位于金属层下侧的一层介质层或两层折射率不同的介质层，每个基本单元的侧面与衬底的法线夹角为‑80～80°。该选择性吸收发射体是一种具有波长选择性的宽带吸收发射体。其工作波长与单元阵列中基本单元顶部和底部的直径或长度的关联度较小，对制备技术的精度要求低，当其工作波长在8～13μm波段且具有高吸收和发射率时，可用于被动辐射制冷，也可以通过改变阵列设计参数在其他波长范围获得所需的吸收特性。

主权项

1.一种选择性吸收发射体，其特征在于：包括衬底、覆设于衬底上的金属薄膜和设置于金属薄膜上的单元阵列，所述的单元阵列由多个间隔排布的外形尺寸相同的基本单元组成，每个所述的基本单元由若干个自上而下依次叠加的叠堆组成，每个所述的叠堆包括金属层和位于金属层下侧的一层介质层或两层折射率不同的介质层，每个所述的基本单元的侧面与所述的衬底的法线夹角为‑80～80°。