[发明专利]一种选择性吸收发射体

权利要求书

1.一种选择性吸收发射体，其特征在于：包括衬底、覆设于衬底上的金属薄膜和设置于金属薄膜上的单元阵列，所述的单元阵列由多个间隔排布的外形尺寸相同的基本单元组成，每个所述的基本单元由若干个自上而下依次叠加的叠堆组成，每个所述的基本单元的侧面与所述的衬底的法线夹角为-80～80°；每个所述的叠堆包括金属层和位于金属层下侧的两层折射率不同的介质层，即上下设置的第一介质层和第二介质层，所述的第二介质层的折射率大于所述的第一介质层的折射率，在每个所述的叠堆中，将所述的第一介质层的厚度记为a，将所述的第二介质层的厚度记为b，则a与b满足关系式：b/(a+b)＝0～1，且从每个所述的基本单元的顶部到底部，组成该基本单元的各个叠堆的b/(a+b)值依次增大；每个所述的基本单元由8个自上而下依次叠加的叠堆组成，这8个叠堆的b/(a+b)值分别为0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6和0.7。

2.根据权利要求1所述的一种选择性吸收发射体，其特征在于：所述的金属层由镁、铝、钛、铁、铜、金、银、钼和锡中的一种材料制成，两层所述的介质层分别由硅、锗、碳、氟化镁、硫化锌、硒化锌、氧化硅、氧化锌、氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化铌和氧化铈中的一种材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种选择性吸收发射体，其特征在于：每个所述的基本单元为圆柱形基本单元，每个所述的叠堆包括自上而下依次设置的Al金属层、MgF₂介质层和Ge介质层。

4.根据权利要求1所述的一种选择性吸收发射体，其特征在于：所述的单元阵列通过紫外图形曝光、电子束蒸发、纳米压印、电子束曝光、聚焦离子束刻蚀、磁控溅射或化学气相沉积方法制备。