[发明专利]漂移探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，其中，漂移探测器，包括：高阻N型衬底、P型半导体薄膜、N型半导体薄膜、金属电极层和隔离层，其中，P型半导体薄膜与高阻N型衬底构成PN结，或者P型半导体薄膜中的P型掺杂剂扩散到N型衬底中构成PN结，PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜与高阻N型衬底构成高低结，或者N型半导体薄膜中的N型掺杂剂扩散到N型衬底中构成高低结，高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及第二P型半导体薄膜，用来形成分压器。该漂移探测器实现大面积、低噪声、能量分辨率高，且具有简单的制作工艺，可进行大批量制造。

主权项

1.一种漂移探测器，其特征在于，包括：高阻N型衬底；P型半导体薄膜和N型半导体薄膜，位于所述高阻N型衬底表面；金属电极层，位于所述P型半导体薄膜和N型半导体薄膜上；隔离层，位于所述高阻N型衬底表面，用于隔离P型半导体薄膜和N型半导体薄膜；其中，P型半导体薄膜与高阻N型衬底构成PN结，所述PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜与高阻N型衬底构成高低结，所述高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及第二P型半导体薄膜，位于漂移电极之间的隔离层上的局部区域，和漂移电极区域的P型半导体薄膜是一体的，用来形成分压器。