[发明专利]漂移探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种漂移探测器，其特征在于，包括：

高阻N型衬底；

P型半导体薄膜和N型半导体薄膜，位于所述高阻N型衬底表面；

金属电极层，位于所述P型半导体薄膜和N型半导体薄膜上；

隔离层，位于所述高阻N型衬底表面，用于隔离P型半导体薄膜和N型半导体薄膜；

其中，P型半导体薄膜与高阻N型衬底构成PN结，所述PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜与高阻N型衬底构成高低结，所述高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及

第二P型半导体薄膜，位于漂移电极之间的隔离层上的局部区域，和漂移电极区域的P型半导体薄膜是一体的，用来形成分压器。

2.一种漂移探测器，其特征在于，包括：

高阻N型衬底；

P型半导体薄膜，位于所述高阻N型衬底表面；

P+掺杂区，形成于高阻N型衬底中，位于所述P型半导体薄膜下方；

N型半导体薄膜，位于所述高阻N型衬底表面；

N+掺杂区，形成于高阻N型衬底中，位于所述N型半导体薄膜下方；

金属电极层，位于所述P型半导体薄膜和N型半导体薄膜上；

隔离层，位于所述高阻N型衬底表面，用于隔离P型半导体薄膜和N型半导体薄膜；

其中，P型半导体薄膜、P+掺杂区共同与高阻N型衬底构成PN结，所述PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜、N+掺杂区共同与高阻N型衬底构成高低结，所述高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及

第二P型半导体薄膜，位于漂移电极之间的隔离层上的局部区域，和漂移电极区域的P型半导体薄膜是一体的，用来形成分压器。

3.根据权利要求1或2所述的漂移探测器，其中，

所述阳极、漂移电极、第一保护环和第一接地电极位于高阻N型衬底的一面，且由中心往外围依次分布；

所述入射窗口，第二保护环和第二接地电极位于高阻N型衬底的另一面，且入射窗口与阳极和漂移电极所在区域对应，第二保护环与第一保护环对应，第二接地电极与第一接地电极对应。

4.根据权利要求1或2所述的漂移探测器，其中，所述漂移电极为一个个分离的环状结构，环的形状为圆形、方形、多边形或者不规则形状，形成一个个分离的漂移环，所述阳极位于最内环的漂移环的中心。

5.根据权利要求4所述的漂移探测器，其中，各个所述分离的漂移环之间通过所述分压器相连。

6.根据权利要求1或2所述的漂移探测器，其中，所述漂移电极为一体化的螺旋结构，该漂移电极从内到外螺旋式的延伸，该漂移电极本身作为分压器。

7.一种漂移探测器的制作方法，其特征在于，包括：

在高阻N型衬底的上、下表面沉积隔离层材料，并选择性去除要形成阳极、漂移电极、第一保护环、第一接地电极、入射窗口、第二保护环和第二接地电极的区域的隔离层材料，使高阻N型衬底表面露出；

在漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口的区域的高阻N型衬底表面沉积P型半导体薄膜，使P型半导体薄膜与高阻N型衬底形成PN结；

在阳极、第一接地电极和第二接地电极的区域的高阻N型衬底表面沉积N型半导体薄膜，使N型半导体薄膜与高阻N型衬底形成高低结；以及

在P型半导体薄膜和N型半导体薄膜上沉积金属电极层。