[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201811577195.0 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109494258A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐欣婷 | 申请（专利权）人： | 徐欣婷 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种ZnO：Li薄膜的制备方法，属于薄膜制备领域，其特征在于包括如下步骤：采用p‑Si作衬底及栅电极；在硅衬底上通过热氧化法生成的二氧化硅作为栅极绝缘层；在真空沉积有源层薄膜之前，将衬底切割成合适大小并加以清洗，溅射靶材为ZnO‑Li2O混合物，在薄膜沉积之前，先将沉积室抽真空，再通入工作气体氩气Ar，开始起辉溅射，通过改变溅射时间来调控有源层ZnO：Li薄膜的厚度，得到ZnO：Li薄膜，本发明所述制备方法工艺简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 衬底 溅射 源层 制备 工作气体氩气 制备方法工艺 薄膜晶体管 栅极绝缘层 薄膜沉积 薄膜制备 二氧化硅 溅射靶材 热氧化法 真空沉积 混合物 沉积室 抽真空 硅衬底 栅电极 起辉 切割 清洗 调控 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：采用p‑Si作衬底及栅电极；在硅衬底上通过热氧化法生成的二氧化硅作为栅极绝缘层；在真空沉积有源层薄膜之前，将衬底切割成合适大小并加以清洗，溅射靶材为ZnO‑Li20混合物，其中Li/Zn的摩尔比为1%。
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