[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：采用p-Si作衬底及栅电极；在硅衬底上通过热氧化法生成的二氧化硅作为栅极绝缘层；在真空沉积有源层薄膜之前，将衬底切割成合适大小并加以清洗，溅射靶材为ZnO-Li₂0混合物，其中Li/Zn的摩尔比为1%。

2.在薄膜沉积之前，先将沉积室抽真空至2×10^-3 Pa，再通入工作气体氩气Ar，开始起辉溅射，为了去除靶材表面污染物以保证薄膜沉积质量，在正式沉积前须将靶材预溅射15分钟；通过改变溅射时间来调控有源层ZnO：Li薄膜的厚度，得到沉积厚度分别为15-60nm的ZnO：Li薄膜。

3.根据权利要求1所述ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于：所述清洗过程包括：放入丙酮溶液中超声清洗10分钟：再放入酒精溶液中超声清洗10分钟；再放入去离子水中超声清洗10分钟；用高纯氮气将衬底吹干。

4.根据权利要求2所述ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅的厚度为230nm。

5.根据权利要求3所述ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于：所述靶材尺寸为254 mm x127 mm。

6.根据权利要求4所述ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于：所述靶材与衬底间距为55mm。

7.根据权利要求5所述ZnO：Li薄膜的制备方法，其特征在于：所述起辉溅射的工作气压为2×10² Pa，工作功率为100 W。