[发明专利]一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统有效
申请号: | 201811565919.X | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109487331B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 刘凯;王遵义;郝大维;刘琨;涂颂昊;孙健;王彦君 | 申请(专利权)人: | 天津中环领先材料技术有限公司 |
主分类号: | C30B13/00 | 分类号: | C30B13/00;C30B13/28;C30B29/06 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 刘莹 |
地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统,包括:S1、根据单晶规格计算需求多晶料剩余长度,当多晶料剩余长度达到设定值后,打开收尾程序,使单晶直径逐渐从205mm收细到160‑180mm;S2、当单晶直径收细到160‑180mm后,调节单晶下速和多晶上速、以及功率,使单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离;S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后,降低功率设定值,单晶下速与所述步骤S2中的调节后的单晶下速保持一致,对多晶上速进行调节;S4、进行降温处理,到达设定时间后开启炉门,拆取单晶。本发明所述的大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统完全实现了自动化,基本剔除了人工操作带来的不确定性,更加智能、科学,有效的提高了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 直径 区熔硅单晶 自动 收尾 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法,其特征在于,包括:S1、根据单晶规格计算需求多晶料剩余长度,当多晶料剩余长度达到设定值后,打开收尾程序,并对单晶下速和多晶上速、以及功率进行调节,使单晶直径逐渐从205mm收细到160‑180mm;S2、当单晶直径收细到160‑180mm后,调节单晶下速和多晶上速、以及功率,使单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离;S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后,降低功率设定值,单晶下速与所述步骤S2中的调节后的单晶下速保持一致,对多晶上速进行调节;S4、进行降温处理,到达设定时间后开启炉门,拆取单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司,未经天津中环领先材料技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811565919.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶体横向生长设备及晶体横向生长方法
- 下一篇:一种晶体炉控制方法及系统