[发明专利]一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统有效

专利信息
申请号: 201811565919.X 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN109487331B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 刘凯;王遵义;郝大维;刘琨;涂颂昊;孙健;王彦君 申请(专利权)人: 天津中环领先材料技术有限公司
主分类号: C30B13/00 分类号: C30B13/00;C30B13/28;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 刘莹
地址: 300384 天津市滨海新区*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 直径 区熔硅单晶 自动 收尾 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、根据单晶规格计算需求多晶料剩余长度,当多晶料剩余长度达到设定值后,打开收尾程序,并对单晶下速和多晶上速、以及功率进行调节,使单晶直径逐渐从205mm收细到160-180mm;

S2、当单晶直径收细到160-180mm后,调节单晶下速和多晶上速、以及功率,使单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离;

S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后,降低功率设定值,单晶下速与所述步骤S2中的调节后的单晶下速保持一致,对多晶上速进行调节;

S4、进行降温处理,到达设定时间后开启炉门,拆取单晶;

所述步骤S1中,对单晶下速和多晶上速、以及功率的调节值如下:

单晶下速为2.0-2.6mm/min,调节后进行匀速下降;

多晶上速为3-5mm/min,调节后进行匀速上升;

功率设定值每间隔20-40s降低0.3-0.6%;

所述步骤S2中,对单晶下速和多晶上速、以及功率的调节值如下:

单晶下速降至1-2mm/min之间,调节后进行匀速下降;

多晶上速降为2-3mm/min,调节后进行匀速上升;

功率设定值自动累积降至初始功率设定值的70-80%范围内;

所述步骤S3中,单晶下速和多晶上速与S2中调节后的速度一致,并保持匀速运动;

功率设定值降至初始功率值的50-70%。

2.根据权利要求1所述的大直径区熔硅单晶自动收尾方法,其特征在于:所述步骤S3的运行时间为60-90min。

3.一种应用权利要求1所述的大直径区熔硅单晶自动收尾方法的自动收尾系统,其特征在于:包括PLC控制器、以及PLC控制器分别连接的时间记录调节模块、功率调节模块、动力单元模块、数据采集模块;

所述时间记录调节模块用于记录、设定各步骤的时间数据;

所述功率调节模块用于调节加热功率;

所述动力单元模块用于驱动单晶向下运动,驱动多晶向上运动;

所述数据采集模块用于采集单晶直径;

所述动力单元模块为伺服电机;

所述数据采集模块为CCD摄像机;

所述PLC控制器连接PC机,所述PC机与PLC控制器双向通信。

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