[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811554799.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109786520A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的量子阱层为BInGaN层，量子垒层包括依次层叠在量子阱层上的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层均为GaN层，第二子层为BAlGaN层。调整BInGaN阱层中B和In的摩尔比，即可使得BInGaN材料与GaN材料之间具有较好的晶格匹配性，从而可以缓解量子阱层与量子垒层之间的压应力，减少量子阱层内产生的压电极化效应，增加电子和空穴的波函数在空间分布上的交叠，提高LED的发光效率。同时量子垒层的GaN层与BAlGaN层之间会形成异质结界面，可以提高电子和空穴在多量子阱层进行辐射复合发光的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 量子阱层 发光二极管外延 量子垒层 空穴 发光效率 半导体技术领域 多量子阱层 晶格匹配性 异质结界面 复合发光 空间分布 压电极化 依次层叠 波函数 摩尔比 压应力 交叠 阱层 制造 辐射 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个所述超晶格结构均包括量子阱层和量子垒层，其特征在于，所述量子阱层为BInGaN层，所述量子垒层包括依次层叠在所述量子阱层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为GaN层，所述第二子层为BAlGaN层。
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