[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201811554799.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109786520A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 量子阱层 发光二极管外延 量子垒层 空穴 发光效率 半导体技术领域 多量子阱层 晶格匹配性 异质结界面 复合发光 空间分布 压电极化 依次层叠 波函数 摩尔比 压应力 交叠 阱层 制造 辐射 缓解 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个所述超晶格结构均包括量子阱层和量子垒层，其特征在于，
所述量子阱层为BInGaN层，所述量子垒层包括依次层叠在所述量子阱层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为GaN层，所述第二子层为BAlGaN层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱层为Bx1InyGaN层，0.15≤x1≤0.2，0.2≤y≤0.3。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层为Bx2Al1-x2GaN层，0.1≤x2≤0.15。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度，所述第一子层的厚度和所述第三子层的厚度相等。
5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度小于所述量子阱层的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱层的周期数为n，6＜n≤10且n为正整数。
7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层；
在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层为多周期的超晶格结构，每个所述超晶格结构均包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为BInGaN层，所述量子垒层包括依次层叠在所述量子阱层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为GaN层，所述第二子层为BAlGaN层；
在所述多量子阱层上生长P型层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度小于所述第一子层的生长温度，所述第一子层的生长温度和所述第三子层的生长温度相等。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层的生长压力小于所述第一子层的生长压力，所述第一子层的生长压力和所述第三子层的生长压力相等。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，生长所述多量子阱层时，采用氨气作为N源；
生长所述第一子层时，反应室内通入的氨气的流速为第一流速，生长所述第二子层时，反应室内通入的氨气的流速为第二流速，生长所述第三子层时，反应室内通入的氨气的流速为第三流速；
所述第二流速小于所述第一流速，所述第一流速与所述第三流速相等。
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