[发明专利]发光器件以及包括该发光器件的显示装置在审
申请号: | 201811553778.X | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN110034240A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 周原提;M.L.布龙格斯马;M.埃斯凡德雅尔波尔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;里兰斯坦福初级大学理事会 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种包括具有相位调制表面的微腔的发光器件以及包括该发光器件的显示装置。该发光器件包括:反射层,包括相位调制表面;第一电极,设置在反射层的相位调制表面上;发光结构,设置在第一电极上;以及第二电极,设置在发光结构上。相位调制表面可以包括规则地或不规则地布置的多个纳米级图案。反射层和第二电极可以构成发光器件的具有谐振波长的微腔。 | ||
搜索关键词: | 发光器件 相位调制 反射层 第二电极 第一电极 发光结构 显示装置 微腔 纳米级图案 谐振波长 不规则 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:反射层,包括相位调制表面;第一电极,设置在所述反射层的所述相位调制表面上;第二电极,设置为与所述第一电极相对;以及发光结构,设置在所述第一电极与所述第二电极之间以形成具有谐振波长的微腔,其中所述相位调制表面包括多个纳米光共振结构,所述多个纳米光共振结构为柱型磁共振器,其中入射光的磁场分量在该纳米光共振结构的周边处共振,并且其中所述微腔的所述谐振波长根据由所述多个纳米光共振结构引起的相位延迟和所述反射层与所述第二电极之间的光学距离来确定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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