[发明专利]发光器件以及包括该发光器件的显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

反射层，包括相位调制表面；

第一电极，设置在所述反射层的所述相位调制表面上；

第二电极，设置为与所述第一电极相对；以及

发光结构，设置在所述第一电极与所述第二电极之间以形成具有谐振波长的微腔，

其中所述相位调制表面包括多个纳米光共振结构，所述多个纳米光共振结构为柱型磁共振器，其中入射光的磁场分量在该纳米光共振结构的周边处共振，并且

其中所述微腔的所述谐振波长根据由所述多个纳米光共振结构引起的相位延迟和所述反射层与所述第二电极之间的光学距离来确定。

2.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述第一电极是透明电极，并且

其中所述第二电极是反射光的一部分并透射所述光的另一部分的透反式电极。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二电极包括反射金属，并且所述第二电极的整个厚度为10nm至20nm。

4.根据权利要求1所述的发光器件，

其中所述第一电极是透明电极，

其中所述第二电极是反射电极，并且

其中所述反射层为金属反射层并具有透反性质，使得所述反射层反射光的一部分并透射所述光的另一部分。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层包括银(Ag)或含银(Ag)的合金。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述相位调制表面包括规则地或不规则地布置的多个纳米级图案，所述多个纳米级图案形成所述多个纳米光共振结构，所述纳米级图案具有圆柱形状、椭圆形柱形状、三角形柱形状、四边形柱形状、五边形柱形状以及多于五边形的多边形柱形状中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中由所述相位调制表面引起的被反射的光的相位延迟大于由通过将所述图案的高度乘以所述图案的折射率而确定的有效光学距离引起的相位延迟。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一电极的一部分填充在所述相位调制表面的所述图案的周边处的凹入区域中。

9.根据权利要求6所述的发光器件，还包括：

电介质物质，填充在所述相位调制表面的所述图案的周边处的凹入区域中。

10.根据权利要求6所述的发光器件，还包括：

电介质层，设置在所述相位调制表面与所述第一电极之间，

其中所述电介质层的一部分填充在所述相位调制表面的所述图案的周边处的凹入区域中。

11.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述相位调制表面的每个所述图案的直径或宽度为50nm至150nm。

12.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述相位调制表面的每个所述图案的高度为0nm至150nm。

13.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述相位调制表面的所述图案的周期为100nm至300nm。

14.根据权利要求6所述的发光器件，其中当所述微腔的谐振波长为λ时，所述相位调制表面的每个所述图案的直径或宽度、每个所述图案的高度和所述图案的周期被选择为使得所述微腔的光学长度等于n×λ/2，其中n是自然数。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构包括：

空穴注入层，设置在所述第一电极上；

空穴传输层，设置在所述空穴注入层上；

有机发射层，设置在所述空穴传输层上；

电子传输层，设置在所述有机发射层上；以及

电子注入层，设置在所述电子传输层上。