[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811552304.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109786519A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 周盈盈;曹阳;张武斌;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。设置在多量子阱层与低温P型GaN层之间的第一MgAlGaN层较高的势垒可以起到限制电子由多量子阱层溢流至低温P型GaN层的作用，保证更多的电子可在多量子阱层内与空穴复合发光。而第一MgAlGaN层本身可起到提供空穴的作用，增加进入多量子阱层的空穴数量，在多量子阱层内复合发光的电子与空穴数量增加，发光二极管的发光效率能够得到进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 发光二极管 空穴 外延片 制备 发光效率 复合发光 空穴复合 势垒 溢流 发光 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、第一MgAlGaN层、低温P型GaN层、第二MgAlGaN层及P型GaN层。
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