[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811552304.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109786519A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 周盈盈;曹阳;张武斌;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 发光二极管 空穴 外延片 制备 发光效率 复合发光 空穴复合 势垒 溢流 发光 制造 保证 | ||
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、第一MgAlGaN层、低温P型GaN层、第二MgAlGaN层及P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一MgAlGaN层中Mg的组分为0.1～0.3。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一MgAlGaN层中Al的组分为0.2～0.7。
4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述第一MgAlGaN层的厚度为1～10nm。
5.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长第一MgAlGaN层；
在所述第一MgAlGaN层上生长低温P型GaN层；
在所述低温P型GaN层上生长第二MgAlGaN层；
在所述第二MgAlGaN层上生长P型GaN层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一MgAlGaN层的生长温度为800～880℃。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一MgAlGaN层的生长压力为80～120Torr。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一MgAlGaN层的生长时间为1～2min。
9.根据权利要求5～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一MgAlGaN层的生长转速为800～1200r/min。
10.根据权利要求5～8任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述多量子阱层上生长第一MgAlGaN层时，向反应腔内通入100～300sccm的Mg源。
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