[发明专利]基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法

摘要

本发明公开了一种基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，通过获得多结太阳电池中各子电池的电容和总电容；在不同的温度下对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T1；在不同的温度下对多结太阳电池进行不同波长光脉冲激发的DLTS测试，并获得太阳电池总电容的瞬态变化曲线，利用相关函数转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T2......Tn；分别将T1......Tn两两对比可以区分不同子电池中的深能级陷阱，从而实现多结太阳电池各个子电池深能级陷阱的分离。

主权项

1.一种基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，其特征在于，包括：S1：获得多结太阳电池中各子电池的电容和各子电池的浅掺杂浓度；S2：利用各子电池的电容计算多结太阳电池的总电容；S3：在不同的测试温度下对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线；S4：利用相关函数将各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T₁；S5：在不同的测试温度下对多结太阳电池进行特定波长光脉冲激发的DLTS测试，并获得各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线；S6：利用相关函数将各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T₂；在不同波长的光脉冲激发条件下重复开展光脉冲激发的DLTS测试得到DLTS信号谱，并依次记录为T₃......T_n，其中，n为多结太阳电池中子电池的数量，n＞1；S7：DLTS信号谱T₂中峰值所对应的陷阱位于第1个子电池中；依次对比T_i‑1和T_i，其中i＝3，4，…，n，若T_i中的任一峰值没有出现在T_i‑1中，则证明该峰值所对应的子陷阱位于第i‑1个子电池中；最后对比T_n和T₁，若T₁中的任一峰值没有出现在T_n中，则证明该峰值所对应的子陷阱位于第n个子电池中。