[发明专利]基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201811546145.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109639237B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H02S50/10 | 分类号： | H02S50/10 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 能级 瞬态 太阳电池 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，其特征在于，包括：
S1：获得多结太阳电池中各子电池的电容和各子电池的浅掺杂浓度；
S2：利用各子电池的电容计算多结太阳电池的总电容；
S3：在不同的测试温度下对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线；
S4：利用相关函数将各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T1；
S5：在不同的测试温度下对多结太阳电池进行特定波长光脉冲激发的DLTS测试，并获得各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线；
S6：利用相关函数将各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线转化为随温度变化的DLTS信号谱，并记录为T2；在不同波长的光脉冲激发条件下重复开展光脉冲激发的DLTS测试得到DLTS信号谱，并依次记录为T3……Tn，其中，n为多结太阳电池中子电池的数量，n＞1；
S7：DLTS信号谱T2中峰值所对应的陷阱位于第1个子电池中；依次对比Ti-1和Ti，其中i＝3,4,…,n，若Ti中的任一峰值没有出现在Ti-1中，则证明该峰值所对应的子陷阱位于第i-1个子电池中；最后对比Tn和T1，若T1中的任一峰值没有出现在Tn中，则证明该峰值所对应的子陷阱位于第n个子电池中。
2.根据权利要求1所述的基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，其特征在于，在步骤S1中，通过C-V测试，获取多结太阳电池中各子电池的电容和各子电池的浅掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，其特征在于，在步骤S2中，根据如下公式计算多结太阳电池的总电容：
其中，C为多结太阳电池的总电容，C1、C2……Cn为各个子电池的电容，n为多结太阳电池中子电池的数量，n＞1。
4.根据权利要求1所述的基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，其特征在于，步骤S3包括如下步骤：
S31：设定测试温度区间Tmin～Tmax，其中，Tmax＝Tmin+KΔT；
S32：在Tmin温度条件下，对多结太阳电池进行电脉冲激发的DLTS测试，并获得当前测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线；
S33：以一定步长ΔT升高温度，直到Tmax，在每个温度节点重复步骤S32，获得各测试温度所对应的多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线。
5.根据权利要求4所述的基于深能级瞬态谱的多结太阳电池缺陷检测方法，其特征在于，步骤S32包括如下步骤：
S321：将被测多结太阳电池设置为反向偏置状态；
S322：利用波形发生器在被测多结太阳电池的两端施加一个瞬态正电压脉冲；
S323：利用电容计测试电压脉冲后多结太阳电池总电容的瞬态变化曲线。
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