[发明专利]一种用于观测细胞迁移的大序列芯片及其制作和使用方法在审
申请号: | 201811545044.7 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109593646A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 陈健;卫元晨;邢艳荣;陈德勇;王军波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | C12M1/34 | 分类号: | C12M1/34;C12M1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于观测细胞迁移的大序列芯片,包括:加电部分,依次包括负电极底座、负电极阵列、绝缘层以及正电极,其中,负电极阵列包括多个加电小柱;芯片部分,依次包括小室层、SiO2镀膜层、正电极层以及基底,其中,小室层为多孔板状结构,在多孔板的每一孔的中心,SiO2镀膜层设有通孔,通孔贯通至正电极层,在硫醇溶液中浸泡芯片,以使通孔内的正电极层表面生成PEG膜。另外本发明还提供了一种大序列芯片的制作和使用方法。通过将芯片部分的电极一体化使得键合在其上的每一小室中的电压相同,通过加电小柱后每一小室中的去硫醇化效果相同,减少实验误差,同时芯片电极不局限于金或铂,凡是能导电且能和硫醇反应的材料均可作为芯片电极。 | ||
搜索关键词: | 芯片 正电极层 负电极 加电 通孔 细胞迁移 芯片电极 镀膜层 小室 小柱 绝缘层 观测 多孔板状结构 硫醇溶液 实验误差 电极 多孔板 硫醇化 正电极 导电 基底 键合 硫醇 底座 制作 浸泡 贯通 一体化 局限 | ||
【主权项】:
1.一种用于观测细胞迁移的大序列芯片,其特征在于,包括:加电部分,依次包括负电极底座、负电极阵列、绝缘层以及正电极,其中,负电极阵列包括多个加电小柱,所述多个加电小柱设于所述负电极底座上,所述正电极为环形结构,设于所述负电极阵列的外围,所述绝缘层设于所述负电极底座与所述正电极之间,所述正电极与电源的正极相连,所述负电极底座与电源的负极相连;芯片部分,依次包括小室层、SiO2镀膜层、正电极层以及基底,其中,所述小室层为多孔板状结构,在所述多孔板的每一孔的中心,所述SiO2镀膜层设有通孔,所述通孔贯通至所述正电极层,在硫醇溶液中浸泡所述芯片,以使所述通孔内的正电极层表面生成PEG膜;其中,所述加电部分与所述芯片部分配合时,所述加电小柱设于所述多孔板的每个孔的中心内,且所述加电小柱的几何中心与所述通孔的几何中心重合。
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