[发明专利]一种用于观测细胞迁移的大序列芯片及其制作和使用方法

权利要求书

1.一种用于观测细胞迁移的大序列芯片，其特征在于，包括：

加电部分，依次包括负电极底座、负电极阵列、绝缘层以及正电极，其中，负电极阵列包括多个加电小柱，所述多个加电小柱设于所述负电极底座上，所述正电极为环形结构，设于所述负电极阵列的外围，所述绝缘层设于所述负电极底座与所述正电极之间，所述正电极与电源的正极相连，所述负电极底座与电源的负极相连；

芯片部分，依次包括小室层、SiO₂镀膜层、正电极层以及基底，其中，所述小室层为多孔板状结构，在所述多孔板的每一孔的中心，所述SiO₂镀膜层设有通孔，所述通孔贯通至所述正电极层，在硫醇溶液中浸泡所述芯片，以使所述通孔内的正电极层表面生成PEG膜；

其中，所述加电部分与所述芯片部分配合时，所述加电小柱设于所述多孔板的每个孔的中心内，且所述加电小柱的几何中心与所述通孔的几何中心重合。

2.根据权利要求1所述的大序列芯片，其特征在于，所述负电极底座以及负电极阵列的材料为金属铜，所述小室层的材料为聚二甲基硅氧烷。

3.根据权利要求1所述的大序列芯片，其特征在于，所述加电部分的加电小柱的数量与所述芯片部分的小室层中孔的数量相同。

4.根据权利要求1所述的大序列芯片，其特征在于，所述正电极层的材料为导电材料且与硫醇反应。

5.根据权利要求1所述的大序列芯片，所述负电极阵列中的两个加电小柱的间距以及小室层中每两个小孔的间距相同，且均与384孔板中每两个小孔的间距相同。

6.一种用于观测细胞迁移的大序列芯片的制作方法，其特征在于，包括：

制作小室层；

在基底上溅射金生成正电极层；

在所述正电极层上溅射SiO₂生成SiO₂镀膜层；

在所述SiO₂镀膜层上制作牺牲层，刻蚀所述牺牲层和SiO₂镀膜层至正电极生成正电极基底，清洗所述牺牲层；

将所述PDMS小室层与所述正电极基底键合生成初级芯片；

将所述初级芯片放入硫醇溶液内浸泡预设时间，芯片制作完成；

制作加电部分，将所述加电部分与所述芯片部分配合生成所述微流控芯片。

7.根据权利要求6所述的大序列芯片的制作方法，其特征在于，所述制作小室层具体包括：

制作生成多孔板状结构的阳模；

浇注所述阳模，并在预设温度下烘烤使所述浇注材料固化；

翻模得到所述小室层。

8.根据权利要求6所述的大序列芯片的制作方法，其特征在于，采用PECVD技术在所述正电极层上溅射SiO₂生成SiO₂镀膜层。

9.根据权利要求6所述的大序列芯片的制作方法，所述牺牲层的材料为AZ1500，其特征在于，所述在所述SiO₂镀膜层上制作牺牲层，刻蚀所述牺牲层和SiO₂镀膜层至正电极生成正电极玻璃基底，清洗所述牺牲层，具体包括：

在MIF300显影液中显影，暴露出需刻蚀的SiO₂镀膜层位置；

投入氢氟酸缓冲液中刻蚀预设时间；

取出并放入去离子水中去除氢氟酸缓冲液；

放入丙酮溶液去除所述牺牲层。

10.一种如权利要求1～5任意一项所述的大序列芯片的使用方法，其特征在于，方法包括：

在所述小室层内添加培养基，接种细胞；

培养细胞，直至细胞在小室层的表面贴壁生长，更换所述培养基，去除未贴壁生长的细胞；

在所述芯片上设置所述加电部分，通电去除所述PEG膜；

再次更换培养基，拍照记录所述细胞在所述通孔内金电极层表面的生成数据。