[发明专利]高损伤阈值波导相位调制器在审

专利信息
申请号: 201811544028.6 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109491110A 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 陈怀熹;李广伟;冯新凯;古克义;郭玮;梁万国 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035;G02F1/00;G02F1/03;G02B6/122
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 王惠
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请公开了一种高损伤阈值波导相位调制器,属于光学工程领域。本申请提供的高损伤阈值波导相位调制器,包括晶体芯层和波导;所述晶体芯层的上表面包括平面部分和凸起部分,所述凸起部分由所述平面部分沿远离所述晶体芯层的方向向外延伸而形成,且所述凸起部分沿平行于所述平面部分的方向延伸;所述凸起部分的上端沿所述凸起部分与所述平面部分相平行的延伸方向向内形成连通的凹槽,所述波导填充在所述凹槽内。本申请所提供的高损伤阈值波导相位调制器能够承受高功率的输入光,并且具有高调制带宽、低驱动电压、高损伤阈值、低插入损耗。
搜索关键词: 波导相位调制器 凸起 损伤 芯层 波导 平行 申请 低驱动电压 高调制带宽 插入损耗 方向延伸 光学工程 上端 高功率 上表面 输入光 延伸 向内 填充 连通
【主权项】:
1.一种高损伤阈值波导相位调制器,其特征在于,包括晶体芯层和波导;所述晶体芯层的上表面包括平面部分和凸起部分,所述凸起部分由所述平面部分沿远离所述晶体芯层的第一方向向外延伸而形成,且所述凸起部分沿平行于所述平面部分的第二方向延伸;所述凸起部分的上端沿所述第二方向向内形成连通的凹槽;所述波导位于所述凹槽内,入射光在所述波导内沿着所述第二方向传播。
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