[发明专利]高损伤阈值波导相位调制器

权利要求书

1.一种高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，包括晶体芯层和波导；

所述晶体芯层的上表面包括平面部分和凸起部分，所述凸起部分由所述平面部分沿远离所述晶体芯层的第一方向向外延伸而形成，且所述凸起部分沿平行于所述平面部分的第二方向延伸；

所述凸起部分的上端沿所述第二方向向内形成连通的凹槽；

所述波导位于所述凹槽内，入射光在所述波导内沿着所述第二方向传播。

2.根据权利要求1所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，所述波导的横截面为弓形或者矩形。

3.根据权利要求1所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，所述晶体芯层选自近化学计量比铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体、掺锌铌酸锂晶体、近化学计量比钽酸锂晶体、掺镁钽酸锂晶体、掺锌钽酸锂晶体中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，还包括基底，所述晶体芯层的下表面通过光胶薄膜层与所述基底固定。

5.根据权利要求4所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，所述基底选自硅片、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、石英中的任意一种。

6.根据权利要求4所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述晶体芯层的上表面和波导的上表面。

7.根据权利要求6所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，所述缓冲层选自SiO₂、Si_xN_y、类金刚石薄膜中的任意一种。

8.根据权利要求6所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，还包括行波电极，所述行波电极覆盖在所述缓冲层上；

其中，所述行波电极用于对所述波导施加调制电压。

9.根据权利要求6所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，所述行波电极包括第一电极和第二电极，

其中，所述第一电极的中间部分覆盖在所述波导上方的缓冲层上，所述第二电极分别覆盖在所述第一电极两边的所述晶体芯层平面部分上方的缓冲层上。

10.根据权利要求1～9任一项所述的高损伤阈值波导相位调制器，其特征在于，所述晶体芯层与入射光传播方向相垂直的两个端面分别与入射光光纤和出射光光纤固定以形成耦合连接，以使所述入射光光纤和出射光光纤均与所述波导相对；

优选地，所述入射光光纤和出射光光纤包括单模光纤、多模光纤、保偏光纤中的任意一种。