[发明专利]半导体存储装置

摘要

提供了半导体存储装置。半导体存储装置包括：基底；以及堆叠件，包含位于基底上的多个层。所述多个层中的每一个层包括：半导体图案；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案。第二导电线和第三导电线穿透堆叠件。半导体图案包括在所述多个层中的第一层中彼此相邻并且彼此间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。

主权项

1.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：基底；堆叠件，包括竖直地堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每一个层包括：半导体图案，在第一方向上延伸；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二导电线和第三导电线，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸，以穿透堆叠件，其中，半导体图案包括：第一半导体图案和第二半导体图案，在所述多个层中的第一层中在第一方向上彼此相邻并彼此间隔开；以及位于所述多个层中的第二层中的第三半导体图案，在第三方向上与第一半导体图案竖直地叠置；以及栅极绝缘层，其中，栅极绝缘层位于第二导电线与第一半导体图案之间以及第二导电线与第三半导体图案之间，并且其中，第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。