[发明专利]半导体存储装置

说明书

提供了半导体存储装置。半导体存储装置包括：基底；以及堆叠件，包含位于基底上的多个层。所述多个层中的每一个层包括：半导体图案；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案。第二导电线和第三导电线穿透堆叠件。半导体图案包括在所述多个层中的第一层中彼此相邻并且彼此间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。

本专利申请要求于2017年12月28日提交的第62/611,193号美国临时专利申请以及于2018年2月21日提交的第10-2018-0020585号韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用而包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置的较高的集成度可能是期望的，以满足消费者对优良的性能以及低廉的价格的需求。对于半导体装置，由于它们的集成度会是决定产品价格的重要因素，因此会特别期望提高集成度。对于二维或平面半导体装置，由于它们的集成度主要由单位存储单元占据的面积决定，因此集成度受精细图案形成技术的水平的影响很大。然而，用于提高图案精细度的极其昂贵的工艺设备会对提高二维或平面半导体装置的集成度设定实际的限制。为了克服这种限制，最近已经提出了包括三维布置的存储单元的三维半导体存储装置。

发明内容

发明构思的一些实施例提供了一种被构造为具有提高的集成密度的三维半导体存储装置。

根据发明构思的一些实施例，半导体存储装置可以包括基底。半导体存储装置可以包括堆叠件，该堆叠件包括竖直地堆叠在基底上的多个层。所述多个层中的每一个层可以包括：半导体图案，在第一方向上延伸；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。半导体存储装置可以包括第二导电线和第三导电线，第二导电线和第三导电线在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸，以穿透堆叠件。半导体图案可以包括：第一半导体图案和第二半导体图案，在所述多个层中的第一层中在第一方向上彼此相邻并彼此间隔开；以及位于所述多个层中的第二层中的第三半导体图案，在第三方向上与第一半导体图案竖直地叠置。半导体存储装置可以包括栅极绝缘层。栅极绝缘层可以位于第二导电线与第一半导体图案之间以及第二导电线与第三半导体图案之间。第三导电线可以位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且可以共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。

根据发明构思的一些实施例，半导体存储装置可以包括基底。半导体存储装置可以包括堆叠件，该堆叠件包括竖直地堆叠在基底上的多个层。所述多个层中的每一个层可以包括：第一半导体结构和第二半导体结构，在第一方向上彼此相邻并彼此间隔开；以及第一导电线，在第一方向上延伸以连接到第一半导体结构和第二半导体结构。半导体存储装置可以包括第二导电线，第二导电线在与第一方向垂直的第二方向上竖直地延伸以穿透堆叠件，并且在第一方向上彼此间隔开。第二导电线中的第一条第二导电线和第二条第二导电线可以分别与第一半导体结构和第二半导体结构相邻。半导体存储装置可以包括位于第一半导体结构与第二导电线中的第一条第二导电线之间的第一栅极绝缘层。半导体存储装置可以包括位于第二半导体结构与第二导电线中的第二条第二导电线之间的第二栅极绝缘层。半导体存储装置可以包括在第二方向上竖直地延伸并且在第一方向上彼此间隔开的第三导电线。第三导电线中的第一条第三导电线和第二条第三导电线可以分别连接到第一半导体结构的第一端和第二半导体结构的的第一端。半导体存储装置可以包括在第二方向上竖直地延伸以穿透位于第二导电线中的第一条第二导电线与第二条第二导电线之间的堆叠件的屏蔽线。