[发明专利]一种充电电流线性度补偿的电路及其方法

摘要

本发明揭示了一种充电电流线性度补偿的电路，接设于充电电流设置电阻RPROG所在支路中，电阻RPROG的端电压处接设有过流保护电路，且基于过流保护电路引入补偿电路，由电流源I2，NMOS管M5、M6、M7，PMOS管M8、M9相接构成，运放amp1的反相输入端接设串联电阻对R0、R01和电阻R2之间，且补偿电路的PMOS管M9的漏极的补偿电流I1接入串联电阻对中的接点处；产生自适应调整补偿电流I1最终得到所需补偿电压Vos，优化充电电流的线性度。应用本发明该技术方案，补偿电路可以使得充电电流在整个电流范围内拥有好的电流线性度，或可进行分段线性化，且实现代价非常低，占用芯片面积小，提升了电路设计的灵活性。

主权项

1.一种充电电流线性度补偿的电路，接设于充电电流设置电阻RPROG所在支路中，其特征在于：所述支路在电阻RPROG的端电压处接设有由运放amp2，电阻R3、R4，PMOS管M10、M11和NMOS管M4所组成的过流保护电路，补偿的电路基于过流保护电路而设且由电流源I2，NMOS管M5、M6、M7，PMOS管M8、M9相接构成，其中电流源I2的高压端和PMOS管M8、M9、M10、M11共同接于Vdd，NMOS管M4、M5、M6、M7共源接地，且NMOS管M4、M5栅极相连，NMOS管M4和PMOS管M11漏极相连；电流源I2的低压端与NMOS管M5、M6漏极相连，NMOS管M6、M7栅极相连接；PMOS管M8、M9栅极相连；PMOS管M8、NMOS管M7漏极相连；充电恒流电路中运放amp1反相输入端接入串联电阻对R0、R01和电阻R2之间，PMOS管M9漏极补偿电流I1接入串联电阻对中的接点处。