[发明专利]一种充电电流线性度补偿的电路及其方法

权利要求书

1.一种充电电流线性度补偿的电路，接设于充电电路及其充电电流设置电阻R_PROG所在支路中，所述充电电路由NMOS管M3、M2、M1，运放amp1，电荷泵，恒流环路，电阻R1、R2、R_PROG相接组成，其中NMOS管M3的源极接入Vcc，电荷泵输出电压Vcp接入NMOS管M3的栅极，NMOS管M1、M2与NMOS管M3共漏相接，并形成两条电流支路，其中每一条支路均设有串联接地的电阻R1、R2，运放amp1的输入端分别接入两条支路，对应NMOS管M1的支路，电阻R2的另一端连接NMOS管的源极V_BAT，对应NMOS管M2的支路，电阻R2的另一端连接NMOS管的源极形成端电压V_A，同支路下NMOS管的源极通过PMOS管与电阻R_PROG相接，CC运放和I₀驱动支路接入电阻R_PROG的高压端和NMOS管M1、M2的栅极之间，其特征在于：所述充电电路在电阻R_PROG的端电压处接设有由运放amp2，电阻R3、R4，PMOS管M10、M11和NMOS管M4所组成的过流保护电路，其中电阻R3串接于R_PROG所在支路中，电阻R3的高压端接运放amp2的反相输入端，电阻R3的低压端通过电阻R4接入运放amp2的同相输入端，运放amp2的输出端接入PMOS管M10、M11的栅极，且PMOS管M10的漏极反馈接入运放amp2的同相输入端；

且线性度补偿的电路基于过流保护电路而设且由电流源I₂，NMOS管M5、M6、M7，PMOS管M8、M9相接构成，其中电流源I₂的高压端和PMOS管M8、M9、M10、M11共同接于Vdd，NMOS管M4、M5、M6、M7共源接地，且NMOS管M4、M5栅极相连，NMOS管M4和PMOS管M11漏极相连；电流源I₂的低压端与NMOS管M5、M6漏极相连，NMOS管M6、M7栅极相连接；PMOS管M8、M9栅极相连；PMOS管M8、NMOS管M7漏极相连；充电电路中运放amp1反相输入端接入串联电阻对R₀、R₀₁和电阻R2之间，PMOS管M9漏极补偿电流I₁接入串联电阻对中的接点处。

2.根据权利要求1所述充电电流线性度补偿的电路，其特征在于：所述补偿电流I₁的值可变，且根据不同电阻R_PROG阻值设有两个以上阀值。

3.一种充电电流线性度的补偿方法，基于权利要求1中所述充电电路实现，其特征在于包括步骤：

引入补偿电路：在充电电路及其充电电流设置电阻R_PROG所在支路中接设由运放amp2，电阻R3、R4，PMOS管M10、M11和NMOS管M4所组成的过流保护电路，其中电阻R3串接于R_PROG所在支路中，电阻R3的高压端接运放amp2的反相输入端，电阻R3的低压端通过电阻R4接入运放amp2的同相输入端，运放amp2的输出端接入PMOS管M10、M11的栅极，且PMOS管M10的漏极反馈接入运放amp2的同相输入端；并基于PMOS管M10、M11接设由电流源I₂，NMOS管M5、M6、M7，PMOS管M8、M9相接构成的补偿电路，其中电流源I₂的高压端和PMOS管M8、M9、M10、M11共同接于Vdd，NMOS管M4、M5、M6、M7共源接地，且NMOS管M4、M5栅极相连，NMOS管M4和PMOS管M11漏极相连；电流源I₂的低压端与NMOS管M5、M6漏极相连，NMOS管M6、M7栅极相连接；PMOS管M8、M9栅极相连；PMOS管M8、NMOS管M7漏极相连；将充电电路中运放amp1反相输入端接入串联电阻对R₀、R₀₁和电阻R2之间，且补偿电路的PMOS管M9的漏极的补偿电流I₁接入串联电阻对中的接点处；

调整线性度：引入补偿电流I₁推导得补偿电压，调整补偿电流I₁的值，优化充电电流的线性度。

4.根据权利要求3所述充电电流线性度的补偿方法，其特征在于：所述补偿电流I₁根据不同的R_PROG阻值设置两个以上阀值，以对充电电流分段线性化。