[发明专利]一种具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811540882.5 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109712742B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王振洋;张淑东;李年;刘翠;张忠平;蒋长龙;刘变化 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H01B1/04;H01B5/00;H01B5/14;H01B13/00;C01B32/184 |
| 代理公司： | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人： | 方荣肖 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜及其制备方法。所述石墨烯晶体薄膜由含有微纳米级金属催化剂颗粒的有机聚合物在激光辐照下生成，金属催化剂颗粒与有机聚合物的质量比例为1︰1至1︰10000。微纳米级金属颗粒诱导由聚合物到石墨烯的转化过程，为石墨烯晶体薄膜提供大量自由电子，结合石墨烯本身极高的电子迁移率，最终实现极高的导电能力，从而提高石墨烯的品质；同时石墨烯的还原作用避免了金属颗粒在激光辐照下的氧化，使得反应可在空气气氛下进行，使得石墨烯晶体薄膜的制备工艺简单易行。本发明制备的石墨烯晶体薄膜性能优异，且操作简单、原料易得，可以满足不同应用需求，尤其是在电子器件领域的应用，因此便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 能力 石墨 晶体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜，其特征在于，其由含有微纳米级金属催化剂颗粒的有机聚合物在激光辐照下生成，其中，所述金属催化剂颗粒与所述有机聚合物的质量比例为1︰1至1︰10000。
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