[发明专利]一种具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：

a、含有微纳米级金属催化剂颗粒的有机聚合物的制备；

按质量比例为1︰1至1︰10000的方式，将所述金属催化剂颗粒分散进所述有机聚合物中，混合均匀后诱导混合物进行聚合反应，得到含金属催化剂颗粒的有机聚合物；

所述金属催化剂颗粒的尺寸为2nm至1000nm；

b、石墨烯晶体薄膜的制备；

将含金属催化剂颗粒的有机聚合物，暴露于激光的辐照下，得到石墨烯晶体薄膜；

所述石墨烯晶体薄膜为单层石墨烯、多层石墨烯、单晶石墨烯、多晶石墨烯、石墨烯复合物或其组合。

2.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属催化剂颗粒为至少一种具有催化活性的金属颗粒的组合。

3.如权利要求2所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述具有催化活性的金属为铜、镍、铁、钴、钯、铂中的至少一种。

4.如权利要求2所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述金属催化剂颗粒的形状为圆形、片状、纳米线、纳米棒、量子点或不规则形状及其组合。

5.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述有机聚合物为芳香族聚合物、碳链聚合物、均聚物、共聚物、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯中的一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述激光的光源为固态激光、半导体激光、光纤激光、气体激光中的一种或多种的组合。

7.如权利要求6所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：激光波长为100nm至20μm，功率为0.1W至100W，脉冲频率为0Hz至1000KHz。

8.如权利要求6所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：激光选择为CO₂红外激光，波长10.6μm，功率5W，脉冲频率20kHz，激光扫描速度800mm/s。

9.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：薄膜厚度为0.3nm至100mm，薄膜面积为0.01mm²至100m²。

10.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：所述石墨烯晶体薄膜的电导率为100S/m至1.0×10⁸S/m。

11.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：通过超声、或搅拌、或震荡方式使所述金属催化剂颗粒和所述有机聚合物混合均匀。

12.如权利要求1所述的具有高导电能力的石墨烯晶体薄膜的制备方法，其特征在于：激光辐照时，增加参数的调节，所述参数的调节包括：激光功率、激光波长、激光脉冲宽度、激光光斑大小、激光扫描速度、至少一种聚合物种类、至少一种催化剂种类中的至少一者的组合。