[发明专利]利用CVD的TaC涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质有效
| 申请号： | 201811540454.2 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109930130B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曹东完 | 申请（专利权）人： | 韩国东海碳素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 张俊国 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成TaC涂层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 cvd tac 涂层 制造 方法 性质 | ||
【主权项】：
1.一种不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成TaC涂层的步骤。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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