[发明专利]利用CVD的TaC涂层的制造方法及利用该制造方法制造的TaC的性质有效
| 申请号： | 201811540454.2 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109930130B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曹东完 | 申请（专利权）人： | 韩国东海碳素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 张俊国 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 cvd tac 涂层 制造 方法 性质 | ||
1.一种不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：
准备基材的步骤；及
在所述基材的表面，在1600℃至2500℃的温度形成TaC涂层的步骤，
在XRD分析中，(111)面的回折峰值与(200)面的回折峰值之比为0.17以下，
在XRD分析中，回折线的半宽度为0.15°以下，
所述TaC涂层包括平均粒径为10μm至50μm的粒子。
2.根据权利要求1所述的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，其中，
所述形成TaC涂层的步骤，通过在所述基材上以CVD方式，分别或者混合喷射Ta前驱体及C前驱体执行。
3.根据权利要求2所述的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，其中，
所述Ta前驱体及C前驱体为气相或者固相。
4.根据权利要求1所述的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，其中，
所述准备基材的步骤为准备热膨胀系数为4.0×10-6/℃至7.0×10-6/℃的基材的步骤。
5.根据权利要求1所述的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，其中，
所述准备基材的步骤，为准备具有多孔性结构的基材的步骤，
所述形成TaC涂层的步骤，为通过在所述基材表面的气孔内浸透TaC，在所述基材的表面内侧形成TaC浸透领域的步骤。
6.一种TaC材料，包括：
基材及TaC涂层，
所述TaC涂层包括1200ppm以下的排除Ta及C以外的其它成分，
在XRD分析中，(111)面的回折峰值与(200)面的回折峰值之比为0.17以下，
在XRD分析中，回折线的半宽度为0.15°以下，
所述TaC涂层包括平均粒径为10μm至50μm的粒子。
7.根据权利要求6所述的TaC材料，其中，
所述TaC材料以权利要求1至5中任何一项的制造方法制造。
8.根据权利要求6所述的TaC材料，其中，
属于元素周期表的第四族、第五族、第六族的过渡金属与Cl不纯物元素的浓度之和为1ppm至1000ppm。
9.根据权利要求6所述的TaC材料，其中，
不属于元素周期表的第四族、第五族、第六族的不纯物元素的浓度之和为1ppm至7ppm。
10.根据权利要求6所述的TaC材料，其中，所述TaC材料的表面硬度为15GPa以上。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
