[发明专利]一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：Si衬底，形成于Si衬底中的U型槽；与Si衬底表面相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；以及源区和漏区。本发明以SiC作为半浮栅晶体管的源漏极材料，引入了沟道张应力，改变载流子的有效质量，提高了载流子的迁移率，从而增大半浮栅晶体管驱动电流。

主权项

1.一种高驱动电流半浮栅晶体管，其特征在于，包括：Si衬底，具有第一掺杂类型；U型槽，形成于所述Si衬底中；第一栅极叠层，包括第一栅介质层和浮栅，其中，所述第一栅介质层覆盖所述U型槽的表面并部分覆盖所述Si衬底表面，在所述Si衬底表面形成开口，所述浮栅覆盖所述第一栅介质层，在所述开口处与所述Si衬底表面相接触；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和多晶硅层，其中，所述多晶硅层具有第一掺杂类型，所述第二栅介质层覆盖所述浮栅表面和部分所述Si衬底表面，所述多晶硅层覆盖所述第二栅介质层；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；以及源区和漏区，为第二掺杂类型的SiC，形成于所述Si衬底中，位于所述第一、第二栅极叠层两侧。